氧化石墨烯促進高分散、多晶面沸石晶體合成研究取得進展
（a）高分散的Si-ZSM-5@GO晶體的SEM圖；
（b）單個Si-ZSM-5@GO晶體的SEM圖；
（c）Si-ZSM-5@GO沸石晶體的TEM圖和原位電子衍射圖，表明晶體沿c軸方向生長；
（d）氬氣吸脫附曲線和孔徑分布圖
氧化石墨烯（GO）是合成石墨烯材料的重要前驅(qū)體，其表面含有各種各樣的功能基團，如羥基、環(huán)氧基、羧基等，為石墨烯復(fù)合材料的制備提供了有利條件。然而，這些極性功能基團和無機材料晶面間的作用限制了無機材料結(jié)晶的可控生長。
中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所研究員耿建新團隊，利用GO與沸石晶體不同晶面間的選擇性作用，實現(xiàn)了在石墨烯體系中無機材料結(jié)晶的可控生長，制備了高分散、多晶面、含多級孔結(jié)構(gòu)、沿c軸取向生長的Si-ZSM-5沸石晶體。如圖所示，通過在無溶劑合成中添加GO，抑制了Si-ZSM-5沸石晶體的聚集，得到了高分散的Si-ZSM-5晶體；研究發(fā)現(xiàn)，隨著GO在無溶劑合成中添加量的增加，Si-ZSM-5晶體沿c軸取向生長的趨勢增強。通過與中科院上海應(yīng)用物理研究所研究員石國升團隊合作，利用分子動力學(xué)模擬方法進一步闡明了GO誘導(dǎo)Si-ZSM-5晶體沿c軸取向生長的機理。此外，GO作為介孔結(jié)構(gòu)的硬模板添加到Si-ZSM-5晶體中，形成具有多級孔結(jié)構(gòu)的Si-ZSM-5沸石晶體。
通過GO來調(diào)節(jié)Si-ZSM-5沸石晶體的分散性和形貌對無機材料結(jié)晶形貌可控合成具有研究意義，并對無機材料界面科學(xué)領(lǐng)域的基礎(chǔ)研究以及作為構(gòu)建模塊用于光學(xué)、催化和能源等領(lǐng)域的應(yīng)用研究，具有較大的研究價值。
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